真空熱蒸發鍍膜系統是一種常見的物理氣相沉積(PVD)技術,通過加熱蒸發材料使其在真空環境中氣化,隨后凝結在基片表面形成薄膜。
蒸發源共14套,其中10套為溫控有機蒸發源,4套為金屬電流控制蒸發源。采用全封閉結構徹底杜絕了交叉污染,為本公司專利產品。
樣品臺具有旋轉、升降、加熱(最高200℃)功能,可在線更換掩膜板一次,掩模板與樣品無間隙貼合,可同時裝載25mm×25mm樣品四塊(此技術為本公司專利),每個樣品還有獨立的擋板,通過機械手在線控制擋板的開關。
1、供電:~380V三相供電系統(容量10KW),冷卻水循環量0.3M3/H,工作環境溫度10℃~40℃,冷卻水溫度15℃~20℃。
2、設備極限真空:5×10-5Pa;漏率:7×10-8Pa·L/S;工作真空:6×10-4Pa;恢復工作真空時間小于40分鐘(充干燥氮氣)。
3、基片轉速:5~30轉/分連續可調。
4、基片尺寸≤25.4x25.4(mm)。
5、設備安裝面積2.Mx3M。