本發明提供了一種3D成型制備致密碳化硅陶瓷的方法,屬于3D打印技術領域,包括以下制備步驟:分別對三種粒徑的碳化硅粉體均勻包覆聚碳硅烷和二氧化硅粉的混合物得到粗、中、細三種粒徑的包覆粉;將得到的粗、中、細三種粒徑的包覆粉按質量比為100:(2.7~12.5):(0.2~1.6)的比例混合得到打印粉;采用直接三維打印成型機成型打印粉得到陶瓷生坯;所述三維打印成型機的“墨水”為質量濃度為0.5%~1.3%的聚碳硅烷的四氫呋喃溶液;將得到的陶瓷生坯高溫燒結得到致密碳化硅陶瓷。本發明所制備碳化硅陶瓷制品具有高致密度和高純度,相對密度≥98.0%,碳化硅含量≥99.0%。
一種復合金屬陶瓷及其制備方法, 屬于陶瓷材料 及其制備方法。采取優化材料成分、改進燒結工藝、細化晶粒 的手段進一步提高其強韌性, 該金屬陶瓷成份為 : 25≤Ti≤30, 6 ≤C≤8.5, 25≤Ni≤40, 12≤Mo≤20, 2≤N≤3, 5≤W≤10, 0.4≤ Cr≤1.0。其制備工藝為 : 將單質元素Ti、C、Ni、Mo粉末混合, 在氬氣保護下, 通過機械合金化制備包括納米級TiCx和NiMo 固溶體的混合物, 再與TiN、WC、Cr3C2、C粉末一起配制成符合上述成份的混合料, 加入成型劑、壓制成型, 在真空度高于5Pa的條件脫脂, 在真空度高于1.0×10-1Pa的條件下燒結, 在壓力為100-150MPa, 處理溫度1350-1400℃的條件下進行熱等靜壓處理。所述材料具有高硬度, 高抗彎強度, HRA≥90.0, σb≥2500MPa??捎糜诘毒?、拉絲模、壓制模等。
本發明公開了一種高性能白光LED器件,其自下而上包括依次設置的藍光LED芯片、紅色熒光薄膜和表面增設二維光子晶體層的藍綠色熒光透明多晶陶瓷板;其中紅色熒光薄膜選材為Eu2+摻雜SrLiAl3N4熒光粉,藍綠色熒光透明多晶陶瓷板選材為Ce3+摻雜SrLa2Si2O8熒光粉,二維光子晶體層選材為SiNx。本發明通過將高性能的藍綠色和紅色熒光粉材料分別制成透明多晶陶瓷板和薄膜,并進一步在透明多晶陶瓷板表面增設二維光子晶體層,在藍光LED激發下,可有效提高白光LED的發光效率和顯色指數,降低相關色溫。
本發明涉及一種多組元硬質相增強Mo2FeB2金屬陶瓷材料,其中各原料的重量百分比為Mo粉45~50%、硼鐵FeB粉28~32%、Fe粉7~12%、Cr粉0~3%、Ni粉1~3%、C粉0.5~1%、CeO粉或La2O3粉0.2~0.6%、WC粉8~12%、NbC粉0.5~5%、VC粉0~5%、TiC粉0.5~5%。本發明材料具有原料成本低、燒結溫度低、組織細小、硬度高達HRA88~HRA93,抗切入式磨損性能與WC-Co系硬質合金相媲美,制備成本與使用成本大幅度降低等特點。
本發明公開了一種半導體脈沖功率開關及其制備方法。開關由晶閘管單元p+npn+和晶體管單元n+npn+相間排列而成,陽、陰極側均設有Al電極;其陰極側的n+發射極的摻雜濃度為1×1020~1×1022cm-3,結深為15~25μm,晶體管單元n+npn+內的位于開關的陽極側的n+發射極的摻雜濃度為1×1020~1×1022cm-3,結深為15~25μm,晶閘管單元p+npn+的p+發射極摻雜濃度為8×1017~5×1018cm-3,結深為1~5μm。本發明采用的可減小開通電壓的薄發射極RSD結構,包括減薄p+發射區寬度和降低p+發射區摻雜濃度兩方面。本發明在n型Si襯底上進行Al燒結,形成RSD薄發射極的陽極結構。與現有薄發射極形成工藝相比,本發明保證了薄發射極不在后續工藝中被破壞,并且降低了對設備的要求,節省了工序,并且不會引起RSD陰極面反型。
本發明提供一種協同強韌化金屬陶瓷材料及其制備方法,基體材料由(Ti,M)(C,N)固溶體硬質相與金屬粘接相組成,且在金屬粘接相中同時均勻分布著SiC顆粒和SiC晶須,SiC顆粒和SiC晶須占基體材料的質量分數為0.5?5%,通過SiC顆粒細化晶粒、SiC晶須韌化以及兩者的協同纏繞作用,能有效提高金屬陶瓷的機械性能。所制備的金屬陶瓷抗彎強度不低于2500MPa,斷裂韌性不低于16.5Mpa·m1/2,極大提高了金屬陶瓷在工模具領域的應用能力。
本發明提供一種固溶強化(Ti,M)(C,N)基金屬陶瓷及其制備方法,所述金屬陶瓷包括(Ti,M)(C,N)陶瓷硬質相與金屬粘接相,金屬粘接相為Ni基固溶體,Ni基固溶體內含有Ni和M元素,M為W、Mo、Ti、Cr及Si中的一種或多種。本發明通過對粘接相固溶處理增加其活性,可以降低材料燒結溫度、改善粘接相對陶瓷顆粒的潤濕性,從而獲得晶粒細小、組織成分均勻且性能優異的(Ti,M)(C,N)基金屬陶瓷材料,其制備工藝簡單,成本較低。所制備的金屬陶瓷抗彎強度:1800~2537MPa,斷裂韌性:12~18.33MPa·m1/2,洛氏硬度:88~92HRA。
氮化金屬陶瓷及其制備方法,屬于陶瓷材料及其 制備方法。采取優化材料成分、改進氮化處理工藝、形成梯度 結構的手段進一步提高其表面硬度和心部韌性,該金屬陶瓷的 成分為:29≤TiC≤45,8≤TiN≤12,28≤Ni≤32,11≤Mo≤ 15,7≤WC≤10,0.5≤C≤1,0.5≤NbC≤1。其制備工藝為: 將TiC與TiN粉末混合,通過機械合金化制備包括納米級的 Ti(C,N)固溶體的混合物,再將其與WC、NbC、Mo、Ni、C 粉一起配制成符合上述成分的混合料,加入成型劑、壓制成型; 脫脂;燒結;高溫高壓氮化處理。所述材料具有高硬度,高抗 彎強度,HV≥2000,σbb≥ 1800MPa??捎糜诘毒?、拉絲模、壓制模等。
本發明公開了一種耐磨耐蝕三元硼化物/不銹鋼復合材料及制備方法,屬于復合材料制備技術領域,包括不銹鋼材料粉末、三元硼化物原材料合金粉末和少量成型劑,且三元硼化物原材料合金粉末由質量比如下的各組分制備而成:5~20wt%的硼鐵合金粉末、鉻粉5~20wt%、鉬粉10~30wt%、鎳粉10~15wt%、銅粉1~5wt%、過渡金屬碳化物1~5wt%、稀土氧化物0.5~3wt%和余量份的鐵粉。本發明中,可靈活調節三元硼化物合金層與不銹鋼基體合金的厚度,燒結后結合性好,三元硼化物合金層具有與不銹鋼基材相當的耐腐蝕性,硬度高且可調整,耐磨性好,不銹鋼基材可選范圍廣,制備成本低,操作簡單。
本申請公開了鎳?氧化鋯金屬陶瓷及其應用。該鎳?氧化鋯金屬陶瓷由包括以下步驟的方法所制得:(A)提供生坯,所述生坯的原料包含50~90wt%氧化鋯、10~50wt%鎳?摻雜相金屬粉,其中鎳?摻雜相金屬粉中鎳的含量至少為90wt%,摻雜相金屬的含量至多為10wt%,所述摻雜相金屬選自釩、鋁、鐵、銅中一種或至少二種;(B)將所述生坯燒結。添加某些摻雜相金屬,如釩、鋁、鐵、銅,可以有效降低鎳相、氧化鋯相之間的表面張力和液?固界面能,從而降低潤濕角,改善其潤濕性,可以打破鎳相、氧化鋯相之間的界面,使得金屬鎳相、氧化鋯相融為一體,提高了鎳在這個陶瓷材料中分布的均一性,從而提高陶瓷整體的導電性。
本發明公開了一種微波熔鹽法合成片狀晶體 SrTiO3的方法。該方法在熔鹽法 中引入微波場,在低溫下成功地合成出了片狀晶體 SrTiO3。其方法是首先以 SrTiO3和 TiO2為原料,在助熔劑NaCl- KCl中合成片狀前驅體 Sr3Ti2O7,然后在片狀晶體 Sr3Ti2O7上外延生長制備出片狀 晶體SrTiO3。采用XRD和SEM 分析產物的結構。結果表明,利用微波熔鹽法在700℃保溫30 分鐘就出現了明顯的片狀晶體 Sr3Ti2O7,尺寸達到5微米;而時 間延長后,在750℃保溫3小時得到了尺寸為10微米的片狀 Sr3Ti2O7。將前驅體 Sr3Ti2O7和 TiO2在微波場中于700℃保溫2 小時得到了10~15微米的片狀晶體 SrTiO3。和常規熔鹽法相比,微 波熔鹽法降低了SrTiO3的合成 溫度,節省了晶化時間,大幅度地降低了能耗。
本發明提供了一種3D成型制備孔徑可控的碳化硅陶瓷的方法,屬于3D打印技術領域,包括以下制備步驟:分別對兩種不同粒徑的碳化硅粉體均勻包覆聚碳硅烷和二氧化硅粉的混合物得到粗、細三種粒徑的包覆粉,將得到的粗、中、細三種粒徑的包覆粉胺質量比為100:(0.2~1.6)的比例混合得到打印粉;用直接三維打印成型機成型打印粉得到陶瓷生坯;所述三維打印成型機的“墨水”為質量濃度為0.5%~1.3%的聚碳硅烷的四氫呋喃溶液;將所述步驟4)中得到的陶瓷生坯高溫燒結得到孔徑可控的碳化硅陶瓷。本發明通過調整粗粉中位粒徑D50粗實現了對碳化硅陶瓷制品的孔徑的控制。
本發明屬于脈沖功率半導體器件領域,更具體地,涉及一種快速離化器件及其制備方法。該快速離化器件包括依次相鄰設置的金屬化陰極、高摻雜n+區、陰極側高摻雜p+短路點、p基區、n?基區、n型促離化層、陽極側高摻雜n+短路點、高摻雜p+區、金屬化陽極。本發明通過在FID器件結構中引入較n?基區更高的摻雜濃度的n型促離化層,通過限制n?基區空間電荷區的擴展,進而限制了碰撞電離前沿需要穿越的區域寬度,減小了碰撞電離前沿穿越的范圍,減少了碰撞電離前沿傳播的時間,從而提高了器件的開通速度。
本申請涉及超硬材料領域,具體公開了一種高抗沖擊性聚晶金剛石復合片及其制造方法,其金剛石復合片包括硬質合金基體和金剛石層,所述金剛石層包括細粒度聚晶層和粗粒度聚晶層,所述粗粒度聚晶層呈柱狀且設于所述金剛石層中軸線處,所述細粒度聚晶層呈環狀貼合在所述粗粒度聚晶層徑向周側,所述細粒度聚晶層弧面外周壁與所述硬質合金基體弧面外周壁平齊。本申請位于內圈的粗粒度聚晶層能均勻且有效承接環形細粒度聚晶層內應力,可有效避免片狀細粒度聚晶層局部遭受沖擊后發生崩裂的現象,并且在不影響其他性能且降低成本的同時提高了金剛石復合片的抗沖擊性能。
本發明公開了一種鎢合金的非自耗電弧熔煉制備方法,其包括鎢粉的初步凈化、冷壓成型及預制塊體制備、抽真空、通氬氣和電弧熔煉步驟。本發明與現有技術相比,工藝簡單、效率高、成本低,且有提純效果,可制得純度高,無明顯氣孔,致密度高(98.1%~99.2%)的超高比重鎢合金(鎢比重含量達99.7%~99.9%,比重最高可達19.11);可應用于電子工業、核工業、航空航天及動高壓物理等領域。
本發明提供一種鐵鋁系金屬間化合物多孔材料的制備方法,利用粉末燒結及由此引起的原位多重去合金效應制備。該方法以鐵粉、鋁鎂合金粉和鎂粉為原料,通過對壓坯進行多段升溫和保溫,協同利用以下兩種方法在高真空環境中制備:1)鋁鎂合金粉在燒結過程中形成的低溫瞬時液相與元素鐵粉反應,實現鐵鋁系金屬間化合物的低溫形成,同時產生原位液相脫合金造孔效應;2)鎂組元升華或揮發引發的氣相脫合金造孔。鋁鎂合金粉末在低溫形成的瞬時液相與鐵產生的脫合金效應加速了鐵鋁金屬間化合物的形成,縮短了燒結周期,且可避免傳統造孔劑對鐵鋁金屬間化合物成分的污染。制得的多孔材料孔徑在10~100μm之間,開孔隙率和總孔隙率分別可達50%和60%以上。
本發明提供一種快速更換真空腔體內消耗件的裝置與方法,將真空治具(2)與基座(1)密封連接,通過真空泵(3)對真空治具(2)抽真空,使用取物桿(22)將基座(1)的可取面外接件(13)及可取面(12)從其外圈平坦面(11)圍成的封閉空間內抽出,然后對真空治具(2)破真空,分離真空治具(2)與基座(1),固定安裝新的消耗件(5)后,再密封連接真空治具(2)與基座(1),對真空治具(2)抽真空,使用取物桿(22)將可取面外接件(13)及可取面(12)裝入所述外圈平坦面(11)圍成的封閉空間內,消耗件(5)被可取面(12)帶入真空腔體,更換消耗件的過程無需對真空腔體破真空,即能夠在短時間內更換真空腔體內的消耗件。
本發明涉及一種有機廢氣濃縮回收治理裝置及方法。該方法包括:(1)有機廢氣經除塵器送入膜組件;(2)給膜組件帶真空,分離出氮氣、氧氣和水蒸氣,得到濃縮有機廢氣;(3)濃縮有機廢氣經尾氣換熱器預冷后送入深冷捕集器;(4)有機物蒸汽在深冷捕集器中冷凝,冷凝液回用于生產系統,不凝氣經尾氣換熱器換熱并在線分析,如果尾氣合格就排空,如果尾氣不合格,循環返回膜組件的進口進行二次治理直至合格。本發明提供一種操作安全,不造成新污染,有機物含量適用范圍廣,廢氣中有機物可回收利用的有機廢氣治理方法。
本發明涉及一種強韌化碳氮化鈦基金屬陶瓷及制備方法,由硬質相Ti(C,N)固溶體、粘結相Ni、纖維素納米晶組成的有機無機雜化體系;硬質相Ti(C,N)固溶體、粘結相Ni組合成復合碳氮化鈦基金屬陶瓷,所述復合碳氮化鈦基金屬陶瓷的基體中均勻分散著纖維素納米晶;制備方法為:將TiC粉、TiN粉、Ni粉、WC粉、Mo粉及石墨粉投入尼龍球磨罐中,配置纖維素納米晶?乙醇懸浮液作為球磨介質,隨后在行星式球磨機上進行球磨,球磨時間為36~54h;球磨后將粉末進行烘干;隨后摻入聚乙二醇作為成形劑進行模壓成形;放入在真空爐中對壓坯進行真空脫脂,保溫時間8~12h,對脫脂后的壓坯進行真空燒結,燒結溫度為1410~1455℃,保溫時間為45~60min,制得強韌化碳氮化鈦基金屬陶瓷。
本發明公開一種電弧焊接用硬質合金柱釘及其制造耐磨件的方法。其顯著特征是硬質合金柱釘的一端有與硬質合金柱體燒結為一體的一定厚度的錐形夾角為120度至150度的錐形低碳鋼制圓錐形連接件,該低碳鋼制圓錐形連接件中心有直徑為1mm至2mm的錐形夾角為60度至90度的圓錐形尖頭,利于電弧起??;該電弧焊接用硬質合金柱釘的制造方法如下:將該低碳鋼制圓錐形連接件錐尖朝下放入粉末壓制成型模具中,填充硬質合金粉末預混料壓制成型為電弧焊接用硬質合金柱釘坯體;燒結舟平鋪一定厚度的氧化鎂砂,將電弧焊接用硬質合金柱釘錐尖朝下垂直放置在氧化鎂砂上,放入真空燒結爐或保護氣氛燒結爐中燒結成型,燒結成型后鍍銅提高硬質合金柱釘表面導電性,利于焊接;用直流焊機大電流,采用接觸拉弧起弧再壓入熔池的方法將該硬質合金柱釘規則排布焊接在耐磨件基體上,然后用堆焊工藝方法填充硬質合金柱釘之間的空隙連接基體和硬質合金柱釘為一體。該制造耐磨件的方法可用于耐磨件的再制造修復。
本發明公開了一種高開口氣孔率α晶型納米氧化鋁多孔陶瓷及其制備方法,屬于納米多孔材料領域。將γ-Al2O3粉體裝填至石墨模具中,置于放電等離子燒結爐,在30~100MPa軸向載荷壓力下,1100~1250℃真空燒結,保溫3-5min;或將γ-Al2O3坯體在常規空氣爐中無壓燒結,燒結溫度1350~1450℃,保溫30~120min高開口氣孔率α晶型納米氧化鋁多孔陶瓷,其平均晶粒尺寸小于160nm,開口氣孔率大于95%。本發明成本低廉、可重復性好,多孔陶瓷中孔結構的形成不借助任何燒結助劑或造孔劑,所制的氧化鋁多孔陶瓷具有孔隙分布均勻、孔徑尺度小、開口氣孔率高大于95%,力學性能優良等優異性能。
本發明公開了一種耐磨減噪的金屬基高鐵剎車片及其制備方法。該高鐵剎車片包含摩擦塊、隔熱消聲層和背板,具有良好的耐磨減噪和隔熱消聲性能。其中,摩擦塊和隔熱消聲層含有多元二維材料,其制備由鎢酸銨16?20 wt.%、鉬酸銨14?18 wt.%、硼粉30?34 wt.%和硅粉原料粉末32?35 wt.%經混料氣氛燒結合成;將摩擦塊配制原料,經球磨、清洗、過濾和干燥處理得到混合粉末,放入不同模具中熱壓成型,最后將壓坯進行真空燒結,得到金屬基復合材料的摩擦塊;而隔熱消聲層的原料在攪勻后,平鋪于背板上進行熱壓成型;最后將不同的摩擦塊通過螺栓固定在隔熱消聲層。與傳統剎車片合成材料相比,該金屬基高鐵剎車片能滿足良好的機械摩擦性能,具備適當的摩擦系數、低磨損率、良好的隔熱耐磨和減噪的性能。
本發明涉及一種基于粉末燒結法原位實現高錳鋁高強鋼多孔化的制備工藝,包括有以下步驟:1)分別稱取元素鐵粉、元素錳粉、元素鋁粉和元素碳粉,在真空狀態下將其混合,獲得成分分布均勻的混合粉末;2)將混合粉末壓制成為原始生坯,所采用的壓制方式為模壓成型,壓制溫度為室溫;3)將原始生坯進行多溫度段保溫真空燒結,燒結過程中爐內的真空度≤5x10?3Pa,燒結結束后采用真空氣淬對所得壓坯進行冷卻,獲得具有開孔隙結構的高錳鋁多孔鋼。本發明以多孔鋼自身的組元進行原位造孔,避免了外加造孔材料對多孔鋼母材成分的污染;實現了高孔隙率的高錳鋁多孔鋼的原位制備;為高溫下錳在燒結體內部升華造孔提供保障。
本發明涉及一種高導熱、低膨脹金剛石-硅復合封裝材料的制備方法,屬于電子封裝材料領域。步驟為:①將金剛石微粒和體積分數40~70%硅粉與微量燒結助劑均勻混合,燒結助劑為Al或Ti粉;②將裝有混合物的石墨模具放入SPS,加壓20~30MPa并抽真空;③快速燒結,燒結時保溫溫度設定為1250~1370℃,燒結過程中采用惰性氣體或真空,燒結壓力為40~60MPa;④燒結結束后進行隨爐冷卻并在1000℃以下卸掉壓力,獲得致密無微裂紋的復合材料。本發明避免了燒結時間過長造成的金剛石石墨化及硅基體氧化等問題;可以通過改變原料的配比得到各種不同金剛石含量的復合材料,可操作性強,工藝簡單。并且所制得的復合材料熱導率高達515W/mK,熱膨脹低于1.5×10-6/K,致密度達99.6%以上,可用于電子封裝等領域。
本發明提供了自支撐磷/碳三維導電網絡復合電極材料及其制備方法和應用,所述制備方法包括步驟:將細菌纖維素膜浸泡于磷酸二氫銨水溶液中,將浸泡后的細菌纖維素膜進行冷凍、干燥;將冷凍干燥后的細菌纖維素膜于惰性氣氛下燒結;將燒結后的細菌纖維素膜與紅磷混合,真空燒結,得到磷碳復合材料;利用二硫化碳洗滌所述磷碳復合材料,真空干燥后,即得到所述自支撐磷/碳三維導電網絡復合電極材料。本發明通過冷凍干燥和蒸發冷凝辦法獲得自支撐磷/碳三維導電網絡復合電極材料,其制備過程操作簡單,原料廉價易得,所得自支撐磷/碳三維導電網絡復合電極材料具有優異的導電性、循環穩定性和倍率性能。
本發明公開了一種板坯去毛刺機用刀片及其制造方法,其特征在于:所述刀片基體材質采用6CrMnSi2Mo1V制備,基體材質的組份重量百分比如下:C:0.40?0.70%、Si:0.50?1.2%、Mn:0.20?0.50%、Cr:4.00?6.00%、Mo:0.50?2.00%、V:0.30?1.50%、P≤0.02%、S≤0.02%、余量為鐵及不可避免的雜質元素。在刀片頂端面與棱邊處涂覆雙相硬質涂層,干燥后置于真空燒結爐內燒結。結構和工藝簡單、成分獨特,提高刀片的耐磨性、且不容易剝落和斷裂。相對于45剛的基材刀片,能夠完全適應板坯去毛刺需求。
本發明公開了一種通孔新型金屬基復合泡沫材料及其制備方法,本方案中復合泡沫材料包括用以形成金屬管陣列的金屬管、填充于金屬管間隙的粉末,其制備方法為:用纖維將金屬管固定成為金屬管陣列,將粉末與金屬管陣列骨架交替疊加填充于模具中,壓制成型;至少重復以上步驟兩次,得到預制體壓坯;真空燒結預制體壓坯并保溫,得通孔新型金屬基復合泡沫材料,所制備的泡沫金屬孔隙結構、孔隙分布、孔徑大小可控,無需使用造孔劑進行造孔,泡沫金屬的機械力學性能好。
本發明涉及一種高密度粉末冶金同步環的制造方法,其包括以下步驟:將質量百分比分別為95.2%~95.9%的鐵、0.4%~0.6%的碳、3.2%~3.5%的鎳鉬鉻合金、0.05%~0.1%的錳以及0.4%~0.6%的潤滑劑按比例混合均勻,得到混合粉末;將所述混合粉末裝入壓力機的模具中,將所述混合粉料壓制成同步環毛坯;將所述同步環毛坯置于惰性氣體的保護氣氛中,在第一預設溫度下預燒第一預設時間;將預燒后的所述同步環毛坯放入真空燒結爐中,在第二預設溫度下燒結第二預設時間,得到同步環燒結件,因此,混合粉末的配方的主要材料是鐵,降低了同步環的制造成本,采用粉末冶金工藝制備同步環,去掉了鍛造工藝的步驟,降低了同步環制造工藝的難度。
本發明提供一種大量制備高質量石墨烯的方法。首先利用化學剝離法制備出普通的石墨烯;然后采用放電等離子燒結或真空燒結技術,在10~30pa的真空中,對石墨烯施加壓力40~60MPa,并加熱到1300~1500℃,保持5~30分鐘,獲得高質量石墨烯。本方法操作簡單,易于控制,成本較低。
本發明公開了一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法。本發明的一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法,包括如下步驟:1)將碳化硅粉末和氮化硅粉末按質量比1:0.6~1.5混合;2)將步驟1)將所述混合粉末清洗后干燥;3)將步驟2)處理所得混合粉末裝入石墨匣缽,蓋上石墨基片,進行真空燒結,得碳化硅顆粒。本發明的方法采用的原料簡單易得,有利于降低成本,涉及的處理步驟簡便,操作性強,處理的碳化硅顆粒球形度高、尺寸均一、表面光滑且無雜質,且在得到的碳化硅顆粒的同時也在石墨基板上沉積了碳化硅薄膜,有利于節能降耗。
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