權利要求書： 1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括依次疊置的背場層(20)、基層(30)和發射層(40)，所述背場層(20)與所述發射層(40)之間具有PN結，所述基層(30)為超晶格結構層，所述超晶格結構層包括多個疊置的周期結構，各所述周期結構包括疊置的三個子結構層，三個所述子結構層中的一個所述子結構層包括GaAs，另一個所述子結構層包括InxGa1?xAs，再一個所述子結構層包括InyGa1?yP，其中，0
沿靠近所述發射層(40)的方向上，一個所述周期結構中的三個所述子結構層依次為第一子結構層(31)、第二子結構層(32)和第三子結構層(33)，包括GaAs的所述子結構層為所述第一子結構層(31)，包括InxGa1?xAs的所述子結構層為所述第二子結構層(32)，包括InyGa1?yP的所述子結構層為所述第三子結構層(33)；
一個所述周期結構中，包括GaAs的所述子結構層的厚度在2nm～50nm之間，包括InxGa1?xAs的所述子結構層的厚度在1～15nm之間，包括InyGa1?yP的所述子結構層的厚度在2～30nm之間。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述周期結構有2～200個，所述基層(30)的厚度在100～5000nm之間。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，至少部分所述周期結構還包括第四子結構層(34)，所述第四子結構層(34)位于所述第三子結構層(33)的遠離所述第二子結構層(32)的表面上，所述第四子結構層(34)包括InzGa1?zAs，其中，0
4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，各所述周期結構中，包括InyGa1?yP的所述子結構層為第三子結構層(33)，與所述發射層(40)距離最小的所述周期結構中不包括所述第四子結構層(34)；所述第四子結構層(34)的厚度在1～15nm之間。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，0.3
6.一種太陽能電池的制作方法，用于制作權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底的表面上設置背場層；在所述背場層的遠離所述襯底的表面上疊層設置多個周期結構，形成基層，各所述周期結構包括疊置的三個子結構層，各所述周期結構中的三個所述子結構層中的一個所述子結構層包括
聲明：
“太陽能電池與其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：紫石能源有限公司
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2025年08月07日 ~ 09日 
