本發明涉及一種含N-P=S共振結構的光電功能材料、制備方法及應用,其結構如式(I)所示:(I)其中Ar表示咔唑或者叔丁基咔唑,Ph是苯基。含有N-P=S共振結構,動態調節電學性能,高三線態能級,雙極傳輸型的光電功能材料,其優點是:原料廉價,合成方法簡便,并且該類材料具有良好的溶解性、成膜性和穩定性。通過引入N-P=S的共振結構可以明顯的改善材料的載流子傳輸能力,賦予其優異的空穴傳輸和電子傳輸能力。利用本發明材料制備的電致發光器件,具有高效率、較低的啟亮電壓以及穩定的電致發光性能,本發明對發展高效穩定的有機發光二極管具有重要意義。
聲明:
“含N-P=S共振結構的光電功能材料、制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)