本發明公開了一種形成復合功能材料結構的方法。該方法包括:步驟A,高能量離子注入于施主晶片表層,在離子注入投影射程位置形成脆弱區,其中,離子注入的能量介于60KeV至500KeV之間;步驟B,將施主晶片和襯底晶片進行鍵合,形成包括施主晶片和襯底晶片的復合結構;步驟C,對鍵合后形成的復合結構進行退火處理,使得施主晶片在脆弱區發生剝離,從而在襯底晶片表面附著施主晶片薄層結構,形成復合功能材料結構。本發明采用高能量的離子注入,控制投影射程在距離表面更遠的位置,利用晶片表層的剝落,即使在存在少數鍵合缺陷的情況下,也能夠得到更好的轉移薄層,從而提高剝離的效率和轉移層的質量、性能。
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