本發明提供了一種半導體器件及其制造方法和電子裝置。所述方法包括:提供第一襯底,所述第一襯底具有第一表面和與之相對的第二表面,在所述第一襯底的第一表面一側形成有功能材料層,在所述功能材料層內形成有晶體管和第一互連結構;形成內嵌于所述功能材料層表面的第一頂部金屬層、第二頂部金屬層和第三頂部金屬層,所述第一頂部金屬層與所述第一互連結構電連接;提供第二襯底,將第二襯底與所述功能材料層相接合;從所述第二表面一側對所述第一襯底進行減薄處理;同時形成第二金屬層和導電插塞,并且所述第二金屬層與所述第二頂部金屬層電連接,所述導電插塞與所述第三頂部金屬層電連接。所述方法工藝步驟更加簡單,提高了器件的性能和良率。
聲明:
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