本發明公開了一種GaN基光伏探測器器件結構的電子學檢測方法,該方法是通過測量導電探針與器件結構剖面以及上表面的電位差并進行定標,得出器件結構的表面能帶分布;再對得到的表面能帶分布進行數值擬合,給出所測臺面器件結構的表面電荷密度分布、表面及體內的電場分布等信息。本方法可以對GaN基光伏型探測器件功能材料各個區域的電子學分布特性給予直觀的評估;對于改善GaN基光伏探測器件性能和優化器件設計都有重要價值。
聲明:
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