本發明屬于電子功能材料與器件領域,具體涉及一種兼具正負電卡效應的鈦酸鉍鈉基薄膜及其制備方法。本發明的鈦酸鉍鈉基薄膜由基片、底電極、鐵電薄膜層和頂電極組成,所述薄膜的組成通式為Na0.5×aBi0.5×b(Ti1?x?yWxFey)O3,其中,1.01≤a≤1.02,1.01≤b≤1.04,0.01≤x≤0.02,0.01≤y≤0.02。在143 ℃附近,正絕熱溫變和等溫熵變的峰值為目前報導中最大值:?T~55 K,?S~64 J K?1 kg?1;在同一制冷循環內,54 ℃附近,負絕熱溫變和等溫熵變的峰值為:?T~?17 K,?S~?26 J K?1 kg?1。通過化學溶液法制備的該鈦酸鉍鈉基薄膜具有電卡性能優異、環境友好、工藝簡單以及成本低等優點,在芯片制冷、傳感器及電子器件等溫度控制領域具有廣泛的應用前景。
聲明:
“兼具正負電卡效應的鈦酸鉍鈉基薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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