權利要求
1.半導體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供襯底，所述襯底上表面形成有第一功能層和位于所述第一功能層上表面的第二功能層； 形成貫穿所述第一功能層和第二功能層的開口，所述開口暴露所述襯底上表面； 沿所述開口刻蝕所述襯底，形成位于所述襯底內部的溝槽； 沿所述開口側壁，對各功能層進行回退處理，使所述各功能層相對于所述溝槽的溝槽口邊緣向溝槽外側方向發生回退，暴露出所述溝槽頂部邊緣的部分襯底表面，且所述第二功能層的回退量大于所述第一功能層的回退量； 對所述溝槽側壁和襯底表面銜接的上轉角進行圓弧化處理，所述圓弧化處理過程對所述第一功能層造成腐蝕，使得所述第一功能層最終回退量小于或等于所述第二功能層的最終回退量； 在所述溝槽以及所述開口內填充隔離材料層，以形成隔離結構。2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述圓弧化處包括以下步驟： 在所述溝槽內形成第一氧化層，所述第一氧化層至少覆蓋所述溝槽側壁和襯底表面銜接的上轉角的表面； 采用刻蝕工藝去除所述第一氧化層，所述刻蝕工藝沿所述開口側壁處對所述第一功能層進行回退。 3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述第一氧化層。 4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述圓弧化處理還包括以下步驟： 在去除所述第一氧化層后，在所述溝槽的底部和側壁表面形成第二氧化層，所述第二氧化層至少覆蓋所述溝槽的上轉角。 5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用高濃度電漿沉積方法或高溫氧化物沉積方法中的至少一種，在所述溝槽的底部和側壁表面形成所述第一氧化層和/或第二氧化層。 6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝，對所述各功能層進行回退處理，且所述干法刻蝕時使用的刻蝕氣體中的氣體分子的氫原子的個數大于或等于2個。 7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述干法刻蝕所用的刻蝕氣體對所述第二功能層與所述第一功能層的刻蝕速率比大于500:1；和/或， 所述刻蝕氣體包括一氟甲烷或二氟甲烷中的至少一種。 8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述采用干法刻蝕工藝，對所述各功能層進行回退處理包
聲明：
“半導體器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
1866
編輯：中冶有色網
來源：廣州粵芯半導體技術有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
