一種調節二維金屬納米粒子陣列的間距、密度和光學性質的方法,屬于功能材料技術領域。通過氣體等離子體對電中性的聚合物薄膜基底表面進行處理,使其表面產生帶電荷的化學基團,在不同溫度下熱退火處理,然后利用層層自組裝技術,使其表面吸附攜帶有正電荷的聚電解質,此時基底上便具有不同密度的正電荷,最后將基底浸泡在預先制備得到的帶有相反電荷的金屬納米粒子溶液中足夠長時間,取出沖洗、吹干后便可得到不同粒子間距、密度和光學性質的二維金屬納米粒子陣列。此外,將具有溫度梯度的熱源應用在熱退火這一步中,最終可以得到具有大面積梯度的樣品,其納米粒子的間距、密度,以及光譜中的吸收峰的強度和峰位在整個樣品上呈現梯度變化。
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“調節二維金屬納米粒子陣列的間距、密度和光學性質的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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