本發明涉及一種低溫等離子硫化制備硫化銻薄膜的方法,屬于光電功能材料技術領域。本發明先制備金屬銻、氧化銻或氫氧化銻的薄膜,再采用低溫等離子發生器對固體硫源進行低溫等離子化形成等離子態硫,等離子態硫對薄膜進行低溫等離子硫化處理得到硫化銻薄膜。本發明在惰性氣體環境下,將惰性氣體經過電場作用等離子化后獲得高活性的惰性氣體離子和電子,高活性惰性氣體離子、電子與固體硫源相互碰撞,生成等離子態硫;各種粒子之間的相互碰撞帶來的環境溫度升高增加了固體硫源的熱運動,又進一步促進了等離子態硫的生成。等離子態硫由于具有較高活性,可快速實現薄膜的硫化得到硫化銻薄膜。本發明硫化銻薄膜成分均勻、結構平整、致密、晶粒尺寸大。
聲明:
“低溫等離子硫化制備硫化銻薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)