本發明公開了屬于功能材料制備技術范圍的一種體心立方結構五氧化二釩納米材料的制備方法。該方法是以釩片作為蒸發源,在真空中的直接蒸發方法,實現了在較低溫度下直接生長單晶五氧化二釩納米材料??朔爽F有技術的缺陷,因此相比較之下具有很大的優勢。該材料具有隨著溫度的變化,從室溫到300℃的溫度區間內,溫度-電阻曲線在120℃附近存在拐點的特別的電學性能。其制備工藝操作簡單,用時較短。因而在制備溫度傳感器、氣體分子傳感器等傳感器件和在制備電學與光學開關方面具有廣泛的應用前景。
聲明:
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