本發明涉及半導體、電子功能材料領域,公開了一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法,所述絕緣化劑中包括Pb3O4、CuO、B2O3,并用新的氧化劑CBi2O5替代了Bi2O3,將CBi2O5、Pb3O4、CuO、B2O3按一定質量比混合制成新的絕緣化劑,并通過瓷片絕緣化的過程,使用絕緣化劑,得到電阻值更高的電容器瓷片,提高電容器的性能。
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“提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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