本發明屬于共軛聚合物以及高分子光電功能材料的技術領域,具體涉及一種含鹵素原子取代噻吩基稠噻唑結構的共軛聚合物及其應用。本發明的含鹵素原子取代噻吩基稠噻唑結構的共軛聚合物采用了鹵素原子和氮雜原子取代,獲得了更強的吸電子能力,使得聚合物具有更低的HOMO、LUMO能級,有機會成為一系列高載流子遷移效率的、低HOMO能級的P?型聚合物材料,具有高強度剛性的共軛平面,能夠通過大π鍵的離域作用形成高度有序以及高載流子遷移速率的聚合物薄膜,不僅提升聚合物太陽能電池的載流子傳輸效率,還優化電池的填充因子,可以作為有機太陽能電池活性層的給體材料,使得太陽能電池器件獲得較高的開路電壓。
聲明:
“含鹵素原子取代噻吩基稠噻唑結構的共軛聚合物及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)