本發明公開了一種陣列碳納米管泡沫金屬復合基板的制備方法及應用,屬于功能材料技術領域。具體包括生長陣列碳納米管及對其表面作等離子體處理,清洗泡沫金屬基底,使用壓片機施加合適的正壓力將陣列碳納米管與泡沫金屬力學復合,即可得到陣列碳納米管泡沫金屬復合基板。與傳統的儲能器件電極材料如泡沫金屬相比,本發明方法制備的碳納米管基復合基板大幅提升了電極的比表面積,解決了活性物質與導電網絡接觸不良、黏附不牢固容易脫落等問題,增加了電極體系的結構穩定性及柔韌性,同時提高了電極的抗沖擊能力及安全性。將制備得到的陣列碳納米管泡沫金屬復合基板用于超級電容器領域,制備得到的電極具有超高的循環穩定性。
聲明:
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