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    降低自旋閥薄膜矯頑力的方法

    822   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:09:02
    本發明提供了一種利用二次退火降低自旋閥薄膜矯頑力的方法,屬于信息電子、功能材料領域。在磁控濺射儀中制備自旋閥薄膜,在真空退火爐中進行退火。其特征在于:采用兩次退火,退火順序依次為在1000~3000Oe磁場下,在100~300℃溫度下,保溫0.5~3h后,降至室溫;再在50~300Oe磁場下,在100~300℃溫度下,保溫0.5~3h;第一次退火時的磁場方向沿著自旋閥薄膜制備態時的易軸方向,第二次退火時的磁場方向與第一次退火時的磁場方向垂直;退火時本底真空度為1×10-4~1×10-5Pa;退火時通入一定流量的N2作為保護氣體。本發明的優點在于:利用兩次退火,既提高了自旋閥薄膜在室溫下的磁阻效應,又明顯降低了薄膜的矯頑力。本發明對改進磁傳感器的性能有重要的應用價值。
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