本發明屬于磁性功能材料領域,特別提供了一種釹鐵硼磁體晶界擴滲的制備方法。其特征在于將R-M合金氫破粉作為釹鐵硼磁體晶界擴滲的擴滲源,其中R為La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho中的至少一種,M為Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Al中的至少一種,M的原子分數5-30%。具體工藝步驟為:用速凝法制備R-M合金薄片;將合金薄片進行氫破處理得到R-M氫破粉;將R-M氫破粉附著在釹鐵硼磁體的表面作為擴滲源;進行晶界擴滲及退火熱處理。該發明的主要優點是:R-M氫破粉具有很強的抗氧化性;R?M氫破粉熔點低,擴滲效率高;工藝簡單,操作方便。
聲明:
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