本發明涉及一種Ti5Si3/TiNi記憶合金復合材料,以該記憶合金復合材料的總量計,其包括以下成分:原子百分比為6-33%的Si元素,Ti、Si、Ni三元素滿足(50+x-y)∶3x∶(50-4x+y),其中x=2-1l,y=0-3,Ti、Ni和Si三種元素的原子百分數之和為100%。該記憶合金復合材料的制備方法包括以下步驟:按Ti5Si3/TiNi記憶合金復合材料的成分配比選取純度在99wt.%以上的單質鈦、單質硅、單質鎳;將單質鈦、單質硅、單質鎳放入真空度高于10-1Pa或惰性氣體保護的熔煉爐中,熔煉成Ti5Si3/TiNi記憶合金復合材料。本發明提供的復合材料既具備記憶合金智能復合材料所具有的屬性,同時又具有強度高,界面結合良好等特點。
聲明:
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