本發明公開了一種具有p?n異質結的BG/ZnO納米復合材料的制備方法及其用途,其中BG/ZnO納米復合材料是以BG為p型半導體,以ZnO為n型半導體,水熱合成的具有p?n異質結的納米復合材料。通過形成p?n異質結能夠促進光生電子和空穴的分離并且通過將空穴從n型半導體ZnO的價帶轉移到P型半導體BG的價帶上來抑制電子/空穴對的復合來提高光催化降解效率。該復合材料作為光催化劑使用對廢水中的有機染料具有很高的光降解效率。
聲明:
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