本發明涉及一種SiC?Si3N4復合材料的制備方法及基于其的SiC?Si3N4復合材料,包括以下步驟:準備模具;以及在1100℃至1600℃下,在所述模具上引入包括Si、N及C的原料氣體,從而形成SiC?Si3N4復合材料。更具體地,本發明提供適用于半導體工藝的高純度SiC?Si3N4復合材料,并通過經由CVD方法使具有高熱沖擊強度的材料Si3N4與SiC材料一起生長來提高SiC材料的熱沖擊強度。
聲明:
“碳化硅-氮化硅復合材料的制備方法及基于其的碳化硅-氮化硅復合材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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