本發明公開了一種定向多孔SiC與金剛石增強的Al基復合材料及制備方法,該復合材料由SiC陶瓷相、金剛石顆粒相和Al金屬相組成;其制備方法由①定向多孔SiC陶瓷的制備、②在金剛石顆粒表面涂覆WC涂層、③金剛石顆粒在多孔SiC陶瓷定向孔隙中的填充及④Al自發熔滲入填充有金剛石顆粒的定向孔中四個步驟完成。采用本發明方法制備的定向多孔SiC與金剛石增強的Al基復合材料,其在平行于定向孔方向具有很高的熱導率,能將半導體產生的熱量及時傳遞給熱沉而散除;其在垂直于定向孔方向(半導體器件所在的平面)能獲得與封裝基板相匹配的熱膨脹系數,從而減小封裝材料與半導體器件之間的熱應力,提高半導體工作效率和使用壽命。
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