本發明公開了一種基于納米ZnO?rGO復合材料的光電導型紫外探測器,該紫外探測器依次有低阻Si層、SiO2絕緣層、納米ZnO?rGO旋涂層和Al電極。其制備方法如下:先采用溶劑熱法制備ZnO納米顆粒,用APTES對ZnO納米顆粒進行表面改性,再用水熱法制備ZnO?rGO復合物,然后將復合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上,再在旋凃層表面鍍上Al電極獲得紫外探測器。相比基于納米ZnO的紫外探測器,本發明的紫外探測器暗電流低,光電流、響應度、靈敏度都得到較大提升,且該方法制備的器件結構簡單、方法簡單易行、成本低、適合大面積制備,在軍事、民用以及一些特殊領域有重要的應用價值和良好的應用前景。
聲明:
“基于納米ZnO-rGO復合材料的光電導型紫外探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)