本發明涉及一種涂層增強C/SiC復合材料的制備方法,技術方案是:在C/SiC復合材料試樣表面涂覆漿料涂層,有助于填充由預制體結構殘留的孔隙和CVI瓶頸工藝造成的孔隙,提高復合材料致密性,并能有效緩解C/SiC復合材料與SiC保護層之間的模量失配,提高復合材料的強韌性。與現有技術C/SiC復合材料相比,二維SiC晶須涂層增強C/SiC復合材料室溫下彎曲強度為480-502MPa,二維SiC顆粒涂層增強C/SiC復合材料室溫下彎曲強度為440-470MPa,二維(SiC晶須+SiC顆粒)涂層增強C/SiC復合材料室溫下彎曲強度為485-515MPa。通過控制沉積時間控制PyC和SiC基體和保護層的厚度,通過控制漿料粘度和涂覆次數控制漿料涂層厚度,實現復合材料結構控制。
聲明:
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