本發明涉及聚合物復合材料嵌入式微電容及其制備方法,屬于微電子新材料與器件技術領域。該微電容包括依次層疊的上電極,介電薄膜和下電極,該介電薄膜采用聚酰亞胺/鈦酸鋇(PI/BT)復合材料。該方法包括:使用原位聚合法將BT納米顆粒分散入PI中制備介電薄膜PI/BT復合材料;采用流延法將PI/BT復合材料黏附在基底銅板上,在得到的介電薄膜上鋪一層光刻膠,并根據版圖進行紫外線曝光,得到圖形化的光刻膠;介電薄膜和光刻膠上濺射一層金屬層;在丙酮溶液中浸泡形成了圖形化好的上層電極;在氧氣和三氟甲烷的混合氣體中進行RIE處理后,超聲清洗,即制得微電容。本發明可獲得面積較大的、均勻致密的介電薄膜,并且可以使微電容在較高溫度和低溫下穩定工作。
聲明:
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