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    凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法

    986   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:17:02
    本發明涉及一種凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法。所述制備方法包括:(1)提供碳/碳基體;(2)對所述碳/碳基體進行超聲干燥潔凈處理,并將ZrC?ZrB2噴涂劑噴涂于所述碳/碳基體表面,得到多孔碳/碳復合材料;(3)以硅合金為反應物,采用反應熔滲法將所述多孔碳/碳復合材料制成凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料。該制備方法通過利用ZrC、ZrB2與硅的熱膨脹系數相差較大的特點,使得在材料表面殘留堆積的硅呈現疏松多孔結構,借助于簡單打磨,可獲得凈尺寸成型的C/SiC陶瓷基復合材料,從而減少后續機械加工,有效降低成本,解決了傳統反應熔滲法制備C/SiC陶瓷基復合材料表面殘留合金較多的問題。
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