一種用于LDMOS型功率晶體管的半導體封裝,其具有:一含金屬的襯底,其上直接安裝有芯片;在所述襯底上鄰近芯片安裝的引線框架絕緣體,以及安裝在所述絕緣體上并通過焊絲電連接至所述芯片的多個引線。所述襯底包括一具有由純銅層構成的相對表面的主體,主體內部至少部分由銅/金剛石復合材料構成,從而起著散熱器的作用,從而提供改善的散熱效果、低熱膨脹、以及芯片的電連接。所述主體可以完全由銅/金剛石復合材料構成,或者由具有插入其中的銅/金剛石復合材料的銅/鎢復合材料構成。銅/金剛石復合材料由銅基質中包含的金剛石顆粒構成。在制作所述銅/金剛石復合材料的方法中,在金剛石顆粒上涂覆多層元素或無機化合物,并將其與干壓粘合劑混合,之后,在壓力作用下,將其壓入模具中,以形成一壓實主體。將所述主體放在一片銅上并在真空或氫氣氣氛中加熱,使粘合劑蒸發或分解,在真空或氫氣氣氛中加熱,使經過涂覆的顆粒結合或部分燒結,之后在氫氣氣氛中加熱至稍高于銅的熔點的溫度,從而使銅熔化并注入到結合或部分燒結的金剛石顆粒中。隨后,將所述壓實主體冷卻,并切割成所期望的形狀。
聲明:
“具有銅/金剛石復合材料的半導體襯底及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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