本發明公開了一種ZnO/g-C3N4納米復合材料及其制備方法,屬于太陽能利用技術領域,所述ZnO/g-C3N4納米復合材料為氧化鋅納米棒與g-C3N4的復合材料,即ZnO/g-C3N4。通過兩步法得到,具體是第一步電化學沉積法生長氧化鋅納米棒,第二步直接熱處理法在氧化鋅納米棒外層包覆一層g-C3N4。制備得到的ZnO/g-C3N4納米復合材料,借助氧化鋅一維納米棒的高比表面積、寬禁帶和良好的光電導性能以及g-C3N4的可見光響應特性和高化學穩定性,提高了光生電子空穴的分離效率,提高光響應電流密度,從而有效提高了太陽能的利用率,為目前太陽能利用問題提供了很好的方法。本發明的ZnO/g-C3N4納米復合材料的制備方法具有低能耗,條件簡易,易操作等優點。
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