本發明涉及一種氧化環境中單向C/SiC復合材料細觀應力的檢測方法,用于解決現有的單向C/SiC復合材料細觀應力的檢測方法應力分析準確度差的技術問題。技術方案是應用氧化反應動力學方程模擬微結構氧化過程,得到了復合材料微結構在不同氧化時刻下的幾何模型;建立氧化后的微結構有限元模型,進行細觀應力的有限元計算,從建模到計算的整個過程簡潔高效,克服了實驗方法成本高、耗時長的缺點;借助于ANSYS強大的后處理功能,準確的顯示細觀應力場在氧化后復合材料微結構內的復雜分布,提高了單向C/SiC復合材料細觀應力的檢測方法應力分析的準確度,解決了細觀力學模型精度低、缺乏應力分布準確描述的問題。
聲明:
“氧化環境中單向C/SiC復合材料細觀應力的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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