本申請公開了納米晶復合材料、其制備方法及其應用。其中,納米晶復合材料包括半導體納米晶以及負載于半導體納米晶表面的配體,配體包括由螯合劑與金屬硅酸鹽形成的絡合物。本申請的納米晶復合材料具有優異的抗高光強性能,也即在同樣的強光照射下,本申請的納米晶復合材料的熒光量子產率的下降程度小于現有技術的納米晶材料;此外,本申請的納米晶復合材料的制備成本較低,制備方法簡單。
聲明:
“納米晶復合材料、其制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)