本發明描述了電磁干擾(EMI)屏蔽復合材料及其制備和使用方法。所述復合材料包含分布在低介電損耗基質材料中的高負載水平陶瓷顆粒,該低介電損耗基質材料具有在約0.0001至約0.005范圍內的介電損耗角正切。在一種情況下,該復合材料包含分布在有機硅中的CuO顆粒。所述復合材料在高頻范圍內表現出介電吸收體特性。
聲明:
“用于電磁干擾(EMI)應用的高介電損耗復合材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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