本發明公開了一種g?C3N4包覆NiCo2O4納米復合材料及其制法,首先是將NiCo2O4生長在集流體上,然后將g?C3N4生長在所述NiCo2O4的表面,形成對NiCo2O4的包覆,從而得到g?C3N4包覆NiCo2O4復合材料,本發明創造性的利用g?C3N4在超級電容器中的N型“空穴”缺陷,能夠非常牢固的包覆在NiCo2O4上形成包覆膜,最終得到核殼結構的g?C3N4包覆NiCo2O4復合材料,且本發明將g?C3N4包覆NiCo2O4能充分利用g?C3N4表面官能團能提供豐富的活性位點,使得到的復合材料具有優異的性能,且g?C3N4具有二維層狀材料獨特的機械強度能提高材料整體的循環穩定性。
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