權利要求
1.橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述橫向雙擴散場效應晶體管包括： 襯底，所述襯底由具有第一導電類型的碳化硅材料制成； 第一外延層，所述第一外延層由具有第一導電類型的碳化硅材料制成，所述第一外延層為頂部具有條形梳齒的梳狀結構； 第二外延層，所述第二外延層由具有第一導電類型的硅材料制成，所述第二外延層形成于所述第一外延層上并填充所述第一外延層的梳齒之間的空隙； 具有第二導電類型的漂移區，形成于所述第二外延層內； 具有第一導電類型的體區，形成于所述第二外延層內所述漂移區兩側； 源極、漏極、柵極和場板，所述源極形成于所述體區內，所述漏極形成于所述漂移區內，所述場板形成于所述漂移區表面，所述柵極形成于所述漂移區和所述體區表面并覆蓋部分場板。2.根據權利要求1所述的橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述第一外延層的梳齒之間的間距與梳齒的高度的比介于1：2~4。 3.根據權利要求1所述的橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述第一外延層的梳齒的寬度與高度的比介于1：2~4。 4.根據權利要求1所述的橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述第一外延層的梳齒的寬度介于0.3~0.5um。 5.根據權利要求1所述的橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述漂移區的摻雜濃度小于所述第一外延層的摻雜濃度。 6.根據權利要求1所述的橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述第一外延層和所述襯底由4H碳化硅材料制成。 7.橫向雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述橫向雙擴散場效應晶體管制作方法包括： 形成襯底，所述襯底由具有第一導電類型的碳化硅材料制成； 在所述襯底表面形成第一外延層，所述第一外延層由具有第一導電類型的碳化硅材料制成，所述第一外延層為頂部具有條形梳齒的梳狀結構； 形成第二外延層，所述第二外延層由具有第一導電類型的硅材料制成，所述第二外延層形成于所述第一外延層上，并填充所述第一外延層的梳齒之間的空隙； 在所述第二外延層內形成具有第二導電類型的漂移區； 在所述第二外延層內所述漂移區兩側形成具有第一導電類型的體區； 形成源極、漏極、柵極和場板，所述源極形成于所述體區內，所述漏極形成于所述漂
聲明：
“橫向雙擴散場效應晶體管、制作方法、芯片及電路” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
1974
編輯：中冶有色網
來源：北京芯可鑒科技有限公司 北京智芯微電子科技有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
