本發明提供一種無機/高分子復合材料的制備方法,包括以下步驟,將聚合單體和無機半導體混合,密封,在紫外光源的照射下進行本體聚合,所述聚合物單體與無機半導體的質量之比為7:3~999:1。所述聚合單體為丙烯酰胺、N,N?二甲基丙烯酰胺、N,N?亞甲基雙丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N?異丙基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉或1,3,5?三丙烯?;鶜渚褐械囊环N或幾種;所述無機半導體為納米TiO2、納米ZnO、納米Fe3O4、納米Fe2O3、納米CdS中的一種或幾種;所述紫外光源的光強為30~50mW/cm2。本發明還提供由該制備方法制備得到的無機/高分子復合材料,本發明所制備的無機/高分子復合材料中的無機半導體粒子分布均勻。
聲明:
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