本發明公開了一種新型高比表面積SiC基的新型納米碳復合材料制備方法。通過選擇合成溫度、氣氛、不同催化劑,可實現在SiC表面控制生長出一層或多層不同厚度的碳層,且該碳層的形貌和結構特點隨合成條件不同而不同。本發明實現了基于SiC的C-SiC復合材料的合成,該復合材料同時具有碳材料與SiC的優勢,可應用于催化和吸附中。
聲明:
“SiC基的新型納米碳復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)