本發明公開了一種Ti3SiC2改性C/SiC復合材料的制備方法,首先對要改性的預制體進 行超聲清洗、烘干;然后用蒸餾水、羧甲基纖維素納和TiC粉配制漿料;再對預制體進行真 空浸滲結合壓力浸滲,然后冷凍、真空干燥,再將工業用硅粉涂覆在預制體表面,在真空爐 中煅燒,使硅熔融滲透到預制體中,在真空爐中充分反應后,緩慢冷卻到室溫。由于采用SI 法使得C/C或C/SiC復合材料內部首先填充了TiC顆粒,再采用MI法滲透硅熔體,TiC與 Si反應生成Ti3SiC2和SiC,減少了復合材料內部殘余Si的含量,正是C/SiC復合材料內原位 生成的Ti3SiC2相,使得改性后的C/SiC復合材料使用溫度由現有技術的1420℃提高到了 1500℃~2300℃,斷裂韌性由現有技術的8MPa·m1/2提高到了9~16MPa·m1/2。
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