一種基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復合材料的制備方法,本發明涉及納米SiO2空心球復合材料的制備方法。本發明要解決現有技術存在制備的聚酰亞胺介電常數高,介電常數在2.6~3.9,難以滿足微電子行業對于基材要求的問題。方法:一、制備納米SiO2空心球粉末;二、制備納米SiO2空心球/聚酰胺酸膠液;三、成膜及熱亞胺化;四、脫膜,即得到基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復合材料。本發明制備基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復合材料的介電常數低至2.1,可廣泛適用于高速集成電路撓性覆銅箔板基材中。本發明用于一種基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復合材料的制備。
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