權利要求
1.鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法，包括以下步驟： 在空穴傳輸層上制備含釩納米薄膜后450~550℃下退火； 或在空穴傳輸層上將含釩納米粉體250~350℃下退火后形成分散液，烘干，得到鈍化層； 再在所述鈍化層上制備鈣鈦礦吸收層； 所述鈍化層的組成為V 1-x1M x1O y；0≤x1≤1；2<y<2.5； 所述M選自Mg、Cu、Cr、W、Nb、Mo、B、H、Zr、Sn、La和Ti中的一種或多種。2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述鈍化層為P型摻雜的VO 2納米粉體層、W摻雜VO 2納米粉體層、Al摻雜VO 2納米粉體層、或P型摻雜的VO 2薄膜層。 3.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述450~550℃下退火的空氣分壓1000~10000Pa，時間6min以上； 所述250~350℃下退火的空氣分壓為1×10 3Pa~1×10 5Pa，時間50s以上。 4.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述鈣鈦礦吸收層按照以下方法制得： 配置碘化鉛和碘化銫的混合溶液，得到PbI 2前驅體溶液； 將甲脒氫碘酸鹽和氯化甲胺的混合溶液，得到有機鹽溶液； 在所述鈍化層上涂覆PbI 2前驅體溶液，再涂覆有機鹽溶液，退火，形成鈣鈦礦吸收層。 5.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括依次設置的基底、空穴傳輸層、鈍化層和鈣鈦礦吸收層； 所述鈍化層為權利要求1~4任一項所述處理方法形成的鈍化層。 6.根據權利要求5所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層的厚度小于等于30微米。 7.根據權利要求5所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述空穴傳輸層為NiO x2薄膜（x2≤1）。
說明書
鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池
技術領域
本發明屬于太陽能電池技術領域，尤其涉及一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池。
背景技術
鈣鈦礦太陽能電池主要由透明導電基
聲明：
“鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
1907
編輯：中冶有色網
來源：中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司 華能新能源股份有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
