本發明涉及一種石墨/硅混雜增強高導熱低膨脹鋁基復合材料,該復合材料由基體鋁或鋁合金和石墨、硅組成,所述的石墨的體積分數為20%~65%,硅的體積分數為3%~40%,其余為鋁或鋁合金;所述的復合材料中還添加有抑制石墨鋁有害界面反應物Al4C3的生成的界面改性添加劑。與現有技術相比,本發明在石墨/硅/鋁復合材料中引入添加劑,利用添加劑元素進行鋁碳界面改性,抑制有害Al4C3相的形成,通過減少界面熱阻提高導熱性能。所制備的復合材料結構致密,機械性能優異,其中熱導率210-780W/mK,熱膨脹系數在2.3~10×10-6m/K。本發明主要應用于電子封裝材料,高功率密度、高熱流密度的電子和微電子設備中的導熱材料。
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