本發明涉及一種大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法,采用一次成型大粒徑金剛石預制體與CVI工藝結合的方法,制得Diamond/SiC復合材料。采用該方法提高了復合材料中金剛石的粒徑和體積含量,從而有效的提高了復合材料的熱導率。使得熱導率較之流延結合CVI方法制備的復合材料提高約30%。不僅如此,該方法生產工藝簡單、可控,可用于工業化生產。
聲明:
“大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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