本發明公開了一種基于蜀葵莖稈合成g?C3N4/C復合材料的方法,包括以下步驟:(1)蜀葵莖稈的預處理;(2)制備g?C3N4/C復合材料。該方法以蜀葵莖稈為碳骨架,g?C3N4在模板表面鋪展形成薄片層,構建具有特殊結構的復合體系,該復合材料相比純相g?C3N4大幅提升了比表面積,界面清晰,碳骨架不僅起到了剛性支撐的作用,而且提升了復合材料的電子轉移效率,從而提高了光生載流子的分離效率,提高了可見光的利用率。本方法采用的原料低廉且對環境友好,可應用于工業生產,批量制備治理環境有機污染物的環保材料。
聲明:
“基于蜀葵莖稈合成g-C3N4/C復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)