本發明是一種陶瓷基復合材料表面打底層的制備方法,利用料漿法結合碳化硅原位反應工藝的組合式方法實現復合材料表面平整,再配合低壓化學氣相沉積工藝制備SiC/SiC和C/SiC復合材料用環境障涂層的富硅碳化硅打底層。該方法的優點是:1)能夠根據不同表面缺陷的特點調節漿料前驅體中各組分配比以得到合適的粘度,從而達到較好的缺陷填充效果;2)通過高溫裂解工藝實現修復漿料與復合材料的一體化反應;3)采用低壓化學氣相沉積工藝在復合材料表面得到富硅的碳化硅打底層,提高了環境障涂層的質量,延長了環境障涂層的壽命;4)同時由于復材表面沉積了富硅的碳化硅涂層,既提高了復合材料的耐溫性和抗高溫氧化性,又增強了環境障涂層與復材基體的粘結強度,還改善了環境障涂層與復材基體的熱膨脹匹配。
聲明:
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