本發明公開了一種熱管理用SiC/石墨膜層狀復合材料及其制備方法,該復合材料按體積分數計,由10~50%的SiC增強相和50~90%的石墨膜基質相組成,石墨膜和SiC在復合材料中逐層交替分布,并呈現完美取向排列;其制備方法由石墨膜表面包覆SiC陶瓷層、表面包覆SiC陶瓷層石墨膜的逐層堆疊及預壓成型、預成型試樣的真空熱壓燒結及燒結后樣品的后續處理四個步驟完成。該制備方法有效解決了傳統SiC/石墨復合材料燒結致密化困難及SiC與石墨之間的界面結合強度低等問題。采用本發明方法制備的SiC/石墨膜層狀復合材料,不僅平行層狀方向具有很高的熱導率,而且垂直層狀方向能獲得與封裝基板相匹配的熱膨脹系數,同時具有低的密度及高的強度,是一種非常有應用前景的新型熱管理材料。
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