本發明屬于電子材料技術領域,具體為一種低電導率非磁性太赫茲屏蔽復合材料及其制備方法。該復合材料包括有機硅橡膠與MXene的混合基底層和超薄導電銅層;超薄導電銅層為銅納米粒子構成的金屬層。本發明采用熱壓成型、自催化化學鍍等技術手段,制備出一種具有三明治結構的“(有機硅橡膠與MXene混合體)?Cu?(有機硅橡膠與MXene混合體)”復合材料;所制備的復合材料電氣絕緣性優異且無磁性,但具有良好的太赫茲屏蔽性能;由于銅層與MXene層的協同復合作用,使得在未引入磁性金屬的情況下,制備的太赫茲屏蔽復合材料在0.1?2.2THz范圍內具有超過38dB的平均屏蔽效能,而電導率低至0.7S/m。
聲明:
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