本發明屬于電池技術領域,公開了一種ZnS/SnS/三硫化二銻@C空心納米立方體結構復合材料及其制備方法和應用,所述復合材料是先將水、四氯化錫、檸檬酸鈉、氯化鋅、氫氧化鈉混合,經水洗干燥制得H?ZHS;將H?ZHS超聲分散于水溶液中,加入氫氧化鈉或氫氧化鉀進行刻蝕,加入多巴胺攪拌,經水洗干燥,所得H?ZHS@PDA;將H?ZHS@PDA與硫脲,在氫氣氛圍中在300~350℃進行硫化,冷卻至室溫,再將所得H?SnS2/ZnS@PDA、三氯化銻和無水乙醇混合在90~120℃水熱反應,經水洗干燥,將所得H?ZnS/SnS2/Sb2S3@PDA在氬氣氛圍中,在500~530℃碳化,冷卻至室溫制得。
聲明:
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