本發明涉及一種半導體改性的TiO2納米管陣列復合材料及其制備方法,其中,方法包括如下步驟:步驟一、采用陽極氧化法制備TiO2納米管陣列;步驟二、將鎘源、鉛源和硫源分別溶于醇類溶劑中得到鎘源前驅體溶液、鉛源前驅體溶液和硫源前驅體溶液;步驟三、利用超聲輔助進行連續離子層沉降在TiO2納米管陣列的內壁和外壁同時形成均勻的CdS顆粒和PbS顆粒,再經熱處理后得到半導體改性的TiO2納米管陣列復合材料。本發明制得的CdS/PbS/TiO2納米管陣列復合材料中在納米管的內外壁上能夠形成大面積均勻的CdS和PbS顆粒,大大增強了該復合材料對太陽光的利用率。同時方法簡單、過程易于操控且材料復合均勻。
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