本發明公開了一種氧化環境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復合材料損傷的檢測方法,用于解決現有的單向SiC/SiC復合材料損傷檢測方法精度差的技術問題。技術方案是應用氧化反應動力學方程計算復合材料微結構氧化過程中碳界面被氧化損耗的厚度,得到了復合材料微結構在不同氧化時刻下的幾何模型;建立氧化后的微結構有限元模型,進行細觀應力的有限元計算;采用最大應力強度準則來檢測材料的損傷情況。本發明從建模到計算的過程簡潔高效,克服了現有的實驗方法成本高、耗時長的缺點;借助于ANSYS強大的有限元分析功能,得到了氧化后復合材料微結構內的細觀應力,提高了單向SiC/SiC復合材料損傷檢測方法損傷分析的準確度,解決了細觀力學模型精度低的問題。
聲明:
“氧化環境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復合材料損傷的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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