本發明屬于半導體納米復合材料技術領域,具體涉及一種一維ZnS/CdS?C納米復合材料及其制備方法。本發明是以鋅鹽和苯甲酸鹽為原料制得苯甲酸根插層的一維層狀金屬氫氧化物前驅體,然后與硫化氫氣體進行氣固反應使氫氧化鋅轉變成為硫化鋅,再與鎘鹽進行陽離子交換得到ZnS和CdS均勻分散在一維有序排列的苯甲酸基質中的納米復合材料,然后在保護氣環境下高溫焙燒即可得到一維ZnS/CdS?C納米復合材料。該方法無需模板劑和結構助劑,采用硫化氫為硫源,原位熱解得到高活性,高分散性,高結晶度,高純度,高穩定性,能夠響應可見光的一維ZnS/CdS?C納米復合材料。與現有技術相比,本發明所述合成方法其制備工藝簡單,成本低廉,耗能少,能夠實現可控制備。
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“一維ZnS/CdS-C納米復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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