本發明涉及集成電路技術領域,具體涉及低介電常數的籠型聚倍半硅氧烷/環氧樹脂納米復合材料及其制備方法。本發明所述的低介電常數的籠型聚倍半硅氧烷/環氧樹脂納米復合材料由改性環氧樹脂、籠型聚倍半硅氧烷和光引發劑制備而成;所述改性環氧樹脂均是開環改性后投入使用,在環氧樹脂鏈上引入雙鍵,雙鍵的活性較高,可發生自由聚合,固化速度快,固化溫度低,可在室溫下通過光固化的方式固化成型,所以本發明制備的籠型聚倍半硅氧烷/環氧樹脂納米復合材料更適合作為芯片和電路板的粘結封裝材料。
聲明:
“低介電常數的籠型聚倍半硅氧烷/環氧樹脂納米復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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