本發明涉及了一種SnS2納米盤@RGO復合材料的制備方法,具體涉及到采用相關Sn鹽,采用控制反應物濃度、反應溫度及時間即可實現納米復合結構的制備。具體為將一定量的氧化石墨烯超生分散為水溶液后;加入溶于酸溶液的Sn鹽溶液攪拌形成均勻的混合溶液;后緩慢加入定量的乙酰硫脲后持續攪拌,將攪拌后的溶液放入反應釜中后放置在馬弗爐中,于180℃下反應12小時取出;采用冰水混合溶液降溫后將反應的沉淀產物離心提純后用乙醇和去離子水洗滌3次,在真空干燥箱中于60℃下干燥5小時,即可制得可明顯提高電池比容量和降低循環損失率的SnS2納米盤@RGO復合材料。
聲明:
“二硫化錫納米盤@還原氧化石墨烯復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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