本發明公開一種鈦硅碳界面改性SiCf/SiC吸波復合材料及其制備方法,將碳化硅纖維預制體置于CVD爐恒溫區內,在適合的溫度范圍內,采用化學氣相滲透法在碳化硅纖維表面沉積鈦硅碳界面層;然后將其置于含有聚碳硅烷和鈦硅碳的漿料中進行浸漬,采用前驅體浸漬裂解法(PIP)制備陶瓷基復合材料。本發明制備出了含有Ti3SiC2界面的SiCf/SiC復合材料,工藝簡單,成本低,且有效調控了吸波復合材料的介電常數,達到良好的吸波效果。
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